Transistor a canale N IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.032 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1750pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 155pF. Diodo Trr (min.): 80 ns. Funzione: per applicazioni di amplificatori audio in classe D. ID (min): 20uA. Id(imp): 140A. Marcatura sulla cassa: IRFB5615PbF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 144W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 8.9 ns. Td(spento): 17.2ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43