Transistor a canale N IRFB7444PBF, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 2M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4730pF. Costo): 680pF. Diodo Trr (min.): 24 ns. Funzione: Applicazioni di azionamento di motori BLDC, circuiti alimentati a batteria, convertitori DC/DC e AC/DC. ID (min): 1uA. Id(imp): 770A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 143W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. RoHS: sì. Td(acceso): 24 ns. Td(spento): 115 ns. Tecnologia: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43