Transistor a canale N IRFBC30A, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 510pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 70pF. Diodo Trr (min.): 400 ns. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. ID (min): 25uA. Id(imp): 14A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 9.8 ns. Td(spento): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43