Transistor a canale N IRFBF30PBF, TO-220AB, 900V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 3.6A. Marcatura del produttore: IRFBF30PBF. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:22