Transistor a canale N IRFD014PBF, 60V, 0.2, DIP-4
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
1.21fr
10-19
0.92fr
20-29
0.82fr
30-99
0.74fr
100+
0.73fr
| Quantità in magazzino: 35 |
Transistor a canale N IRFD014PBF, 60V, 0.2, DIP-4. Tensione drain-source (Vds): 60V. Rds sulla resistenza attiva: 0.2. Alloggiamento: DIP-4. Corrente di assorbimento massima: 1.7A. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 19:55
IRFD014PBF
7 parametri
Tensione drain-source (Vds)
60V
Rds sulla resistenza attiva
0.2
Alloggiamento
DIP-4
Corrente di assorbimento massima
1.7A
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Vishay