Transistor a canale N IRFD123, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 360pF. Costo): 150pF. Diodo Trr (min.): 130 ns. ID (min): 25uA. Id(imp): 10A. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6.8 ns. Td(spento): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43