Transistor a canale N IRFD220PBF, DIP, 200V, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 200V. Alloggiamento: DIP. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.8A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 0.4A. C(in): 22pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 260pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 53pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID (min): 25uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 0.8A. Id(imp): 6.4A. Marcatura del produttore: IRFD220PBF. Numero di terminali: 4. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 7.2 ns. Td(spento): 19 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza di terza generazione. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.2 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43