Transistor a canale N IRFI640GPBF, ITO-220AB, 200V. Alloggiamento: ITO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 9.8A. Marcatura del produttore: IRFI640GPBF. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:45