Transistor a canale N IRFI840G, 500V, 0.85 Ohms, TO-220FP, 2.9A, 4.6A, 250uA, TO-220F, 500V. Tensione drain-source (Vds): 500V. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1300pF. Corrente di assorbimento massima: 4.6A. Costo): 200pF. Diodo Trr (min.): 340 ns. ID (min): 25uA. Id(imp): 18A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: diodo. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 55 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51