Transistor a canale N IRFI840GPBF, ITO-220AB, 500V

Transistor a canale N IRFI840GPBF, ITO-220AB, 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
2.20fr
10+
1.62fr
Quantità in magazzino: 237

Transistor a canale N IRFI840GPBF, ITO-220AB, 500V. Alloggiamento: ITO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 4.6A. Marcatura del produttore: IRFI840GPBF. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 55 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRFI840GPBF
16 parametri
Alloggiamento
ITO-220AB
Tensione drain-source Uds [V]
500V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.85 Ohms @ 2.8A
Capacità del gate Ciss [pF]
1300pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Dissipazione massima Ptot [W]
40W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
4.6A
Marcatura del produttore
IRFI840GPBF
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
55 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
14 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
4 v
Prodotto originale del produttore
Vishay (ir)