Transistor a canale N IRFIZ44N, 55V, 22A, 0.024 Ohms, 31A, TO-220FP, 31A, TO-220F, 55V
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.20fr
5-24
1.04fr
25-49
0.92fr
50-99
0.85fr
100+
0.72fr
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Transistor a canale N IRFIZ44N, 55V, 22A, 0.024 Ohms, 31A, TO-220FP, 31A, TO-220F, 55V. Tensione drain-source (Vds): 55V. ID (T=100°C): 22A. Rds sulla resistenza attiva: 0.024 Ohms. ID (T=25°C): 31A. Alloggiamento: TO-220FP. Idss (massimo): 31A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di assorbimento massima: 31A. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Potenza: 45W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51
IRFIZ44N
18 parametri
Tensione drain-source (Vds)
55V
ID (T=100°C)
22A
Rds sulla resistenza attiva
0.024 Ohms
ID (T=25°C)
31A
Alloggiamento
TO-220FP
Idss (massimo)
31A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di assorbimento massima
31A
Funzione
Transistor MOSFET N
Pd (dissipazione di potenza, massima)
45W
Potenza
45W
Quantità per scatola
1
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
International Rectifier