Transistor a canale N IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 400pF. Costo): 145pF. Diodo Trr (min.): 35 ns. Equivalenti: IRFL024NPBF. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 11.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 8.1 ns. Td(spento): 22.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51