Transistor a canale N IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 140pF. Costo): 53pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. ID (min): 25uA. Id(imp): 7.7A. Marcatura sulla cassa: FC. Nota: serigrafia/codice SMD FC. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 8.2 ns. Td(spento): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51