Transistor a canale N IRFP044N, TO-247, 55V, 37A, 53A, 25uA, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247AC, 55V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. C(in): 1500pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 1500pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 450pF. Diodo Trr (min.): 72 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: PowerMOSFET. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 53A. Id(imp): 180A. Marcatura del produttore: IRFP044N. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 43 ns. Tecnologia: HEXFET. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51