Transistor a canale N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

Transistor a canale N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.51fr
5-9
3.27fr
10-24
3.09fr
25-49
2.91fr
50+
2.65fr
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Transistor a canale N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V. Alloggiamento: TO-247. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4000pF. Carica: 113.3nC. Condizionamento: tubus. Costo): 1300pF. DRUCE CORRENTE: 98A. Diodo Trr (min.): 110 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 390A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Polarità: unipolari. Potenza: 150W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 1K/W. RoHS: sì. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 43 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 25. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP064N
40 parametri
Alloggiamento
TO-247
ID (T=100°C)
59A
ID (T=25°C)
110A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.008 Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
4000pF
Carica
113.3nC
Condizionamento
tubus
Costo)
1300pF
DRUCE CORRENTE
98A
Diodo Trr (min.)
110 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (min)
25uA
Id(imp)
390A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200W
Polarità
unipolari
Potenza
150W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Resistenza termica abitativa
1K/W
RoHS
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(acceso)
14 ns
Td(spento)
43 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di gate-source
20V, ±20V
Tensione drain-source
55V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
25
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier