Transistor a canale N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Transistor a canale N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.43fr
5-9
3.89fr
10-24
3.46fr
25-49
3.21fr
50+
2.83fr
Quantità in magazzino: 31

Transistor a canale N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 22A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3450pF. Costo): 513pF. Diodo Trr (min.): 570 ns. Funzione: SMPS MOSFET. ID (min): 25uA. Id(imp): 88A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 277W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 26 ns. Td(spento): 47 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP22N50A
27 parametri
ID (T=100°C)
13A
ID (T=25°C)
22A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.23 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
500V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
3450pF
Costo)
513pF
Diodo Trr (min.)
570 ns
Funzione
SMPS MOSFET
ID (min)
25uA
Id(imp)
88A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
277W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
26 ns
Td(spento)
47 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
International Rectifier