Transistor a canale N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V

Transistor a canale N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.27fr
5-24
2.00fr
25-49
1.79fr
50-99
1.61fr
100+
1.37fr
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Transistor a canale N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V. Alloggiamento: TO-247. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1300pF. Carica: 70nC. Condizionamento: tubus. Costo): 400pF. DRUCE CORRENTE: 12A, 20A. Diodo Trr (min.): 300 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 80A. Marcatura del produttore: IRFP240PBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Peso: 4.6g. Polarità: unipolari. Potenza: 150W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) IRFP9240. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 25. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP240
42 parametri
Alloggiamento
TO-247
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
20A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.18 Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1300pF
Carica
70nC
Condizionamento
tubus
Costo)
400pF
DRUCE CORRENTE
12A, 20A
Diodo Trr (min.)
300 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (min)
25uA
Id(imp)
80A
Marcatura del produttore
IRFP240PBF
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150W
Peso
4.6g
Polarità
unipolari
Potenza
150W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Resistenza allo stato
0.18 Ohms
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) IRFP9240
Td(acceso)
14 ns
Td(spento)
45 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
200V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
25
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Vishay