Transistor a canale N IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Transistor a canale N IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
8.87fr
5-24
8.32fr
25-49
7.84fr
50+
7.32fr
Quantità in magazzino: 28

Transistor a canale N IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 2mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5000pF. Costo): 553pF. Diodo Trr (min.): 170 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). ID (min): 50uA. Id(imp): 124A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 460W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 28 ns. Td(spento): 54 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP31N50L
29 parametri
ID (T=100°C)
20A
ID (T=25°C)
31A
Idss (massimo)
2mA
Rds sulla resistenza attiva
0.15 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
500V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
5000pF
Costo)
553pF
Diodo Trr (min.)
170 ns
Funzione
Alimentatori a commutazione (SMPS)
ID (min)
50uA
Id(imp)
124A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
460W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
28 ns
Td(spento)
54 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
International Rectifier