Transistor a canale N IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.038 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 250V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4560pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 390pF. Diodo Trr (min.): 190 ns. Funzione: PDP MOSFET. ID (min): 20uA. Id(imp): 180A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. Peso: 5.8g. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 44 ns. Td(spento): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Temperatura: +175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 25. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45