Transistor a canale N IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V

Transistor a canale N IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
9.72fr
5-9
8.80fr
10-24
8.11fr
25-49
7.59fr
50+
6.81fr
Quantità in magazzino: 30

Transistor a canale N IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. ID (T=100°C): 121A. ID (T=25°C): 694A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0048 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 10470pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 977pF. Diodo Trr (min.): 110 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). ID (min): 20uA. Id(imp): 171A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 517W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 27 ns. Td(spento): 47 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP4568PBF
32 parametri
ID (T=100°C)
121A
ID (T=25°C)
694A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.0048 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
150V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
10470pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
977pF
Diodo Trr (min.)
110 ns
Funzione
Alimentatori a commutazione (SMPS)
ID (min)
20uA
Id(imp)
171A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
517W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
27 ns
Td(spento)
47 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
30
Vgs(esimo) massimo
5V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies