Transistor a canale N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Transistor a canale N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.92fr
5-24
3.57fr
25-49
3.29fr
50-99
3.05fr
100+
2.73fr
Quantità in magazzino: 19

Transistor a canale N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. Ids: 250uA. Idss (massimo): 72A. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 6160pF. Costo): 440pF. Funzione: Power-MOSFET. ID (min): 0.1uA. Id(imp): 300A. Nota: Alta frequenza. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 35 ns. Td(spento): 41 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP4710
27 parametri
ID (T=100°C)
51A
ID (T=25°C)
72A
Ids
250uA
Idss (massimo)
72A
Rds sulla resistenza attiva
0.011 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
100V
C(in)
6160pF
Costo)
440pF
Funzione
Power-MOSFET
ID (min)
0.1uA
Id(imp)
300A
Nota
Alta frequenza
Pd (dissipazione di potenza, massima)
190W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
35 ns
Td(spento)
41 ns
Tecnologia
HEXFET® Power MOSFET
Tensione gate/source (spenta) min.
3.5V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
5.5V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier