Transistor a canale N IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1070pF. Costo): 6040pF. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. ID (min): 25uA. Id(imp): 380A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 580W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 23 ns. Td(spento): 43 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45