Transistor a canale N IRFPC50A, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Transistor a canale N IRFPC50A, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.55fr
5-9
3.19fr
10-24
2.93fr
25-49
2.74fr
50+
2.44fr
Quantità in magazzino: 46

Transistor a canale N IRFPC50A, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.58 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2100pF. Costo): 270pF. Diodo Trr (min.): 550 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA-. Id(imp): 44A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFPC50A
30 parametri
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.58 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2100pF
Costo)
270pF
Diodo Trr (min.)
550 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (min)
25uA-
Id(imp)
44A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
180W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
15 ns
Td(spento)
33 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Vishay