Transistor a canale N IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms

Qnéuantità

Prezzo unitario

1-1

5.22fr

2-4

4.67fr

5-9

4.26fr

10-24

3.89fr

25+

3.61fr

Quantità in magazzino: 34

Transistor a canale N IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 800V. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Corrente di assorbimento massima: 7.8A. Potenza: 190W. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 09:00

Documentazione tecnica (PDF)

IRFPE50PBF

7 parametri

Tensione drain-source (Vds)

800V

Rds sulla resistenza attiva

1.2 Ohms

Corrente di assorbimento massima

7.8A

Potenza

190W

Tipo di canale

Tipo di transistor

transistor di potenza MOSFET

Prodotto originale del produttore

Vishay