Transistor a canale N IRFPG50, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 1000V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2800pF. Costo): 250pF. Diodo Trr (min.): 630 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 100uA. Id(imp): 24A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 19 ns. Td(spento): 130 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45