Transistor a canale N IRFR024N, D-PAK ( TO-252 ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 370pF. Carica: 13.3nC. Costo): 140pF. DRUCE CORRENTE: 16A. Diodo Trr (min.): 56 ns. ID (min): 25uA. Id(imp): 68A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Polarità: unipolari. Potenza: 38W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 3.3K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 4.9 ns. Td(spento): 19 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45