Transistor a canale N IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 180pF. Costo): 80pF. Diodo Trr (min.): 100 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 17A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6.9ns. Td(spento): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45