Transistor a canale N IRFR1205, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor a canale N IRFR1205, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.86fr
5-24
0.71fr
25-49
0.60fr
50+
0.54fr
Quantità in magazzino: 102

Transistor a canale N IRFR1205, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.027 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1300pF. Costo): 410pF. Diodo Trr (min.): 65 ns. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. ID (min): 25uA. Id(imp): 160A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 7.3 ns. Td(spento): 47 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFR1205
29 parametri
ID (T=100°C)
31A
ID (T=25°C)
44A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.027 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1300pF
Costo)
410pF
Diodo Trr (min.)
65 ns
Funzione
Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida
ID (min)
25uA
Id(imp)
160A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
107W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
7.3 ns
Td(spento)
47 ns
Tecnologia
HEXFET® Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+155°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier