Transistor a canale N IRFR220, TO252AA, DPAK
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.76fr
5-9
1.10fr
10-19
0.98fr
20-49
0.92fr
50+
0.86fr
| Quantità in magazzino: 2 |
Transistor a canale N IRFR220, TO252AA, DPAK. Alloggiamento: TO252AA, DPAK. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 15nC. DRUCE CORRENTE: 5A. Polarità: unipolari. Potenza: 43W. Resistenza termica abitativa: 3.5K/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 200V. Tipo di transistor: N-MOSFET, HEXFET. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:39
IRFR220
13 parametri
Alloggiamento
TO252AA, DPAK
Assemblaggio/installazione
SMD
Carica
15nC
DRUCE CORRENTE
5A
Polarità
unipolari
Potenza
43W
Resistenza termica abitativa
3.5K/W
RoHS
sì
Tecnologia
HEXFET®
Tensione di gate-source
20V, ±20V
Tensione drain-source
200V
Tipo di transistor
N-MOSFET, HEXFET
Prodotto originale del produttore
Infineon (irf)