Transistor a canale N IRFZ24NPBF, TO220AB, 55V, 60V. Alloggiamento: TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Capacità del gate Ciss [pF]: 640pF. Caratteristiche: -. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 17A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 17A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRFZ24NPBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Polarità: MOSFET N. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. RoHS: sì. Serie: HEXFET. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Tensione di azionamento: 10V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di montaggio: THT. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:06