Transistor a canale N IRFZ34N, TO-220, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 700pF. Carica: 22.7nC. Condizionamento: tubus. Costo): 240pF. DRUCE CORRENTE: 26A. Diodo Trr (min.): 57 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Polarità: unipolari. Potenza: 56W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 2.7K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 31 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11