Transistor a canale N IRFZ44NS, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V

Transistor a canale N IRFZ44NS, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.42fr
5-24
1.22fr
25-49
1.10fr
50-99
1.02fr
100+
0.90fr
Disponibili altri +3623 pezzi in magazzino (consegna entro 4 ore). Contattaci per prezzi e disponibilità!
Quantità in magazzino: 12

Transistor a canale N IRFZ44NS, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 17.5m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1470pF. Costo): 360pF. Diodo Trr (min.): 63 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 160A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 44 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:13

Documentazione tecnica (PDF)
IRFZ44NS
31 parametri
ID (T=100°C)
35A
ID (T=25°C)
49A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
17.5m Ohms
Alloggiamento
D2PAK ( TO-263 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
D2PAK ( TO-263 )
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1470pF
Costo)
360pF
Diodo Trr (min.)
63 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (min)
25uA
Id(imp)
160A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
94W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(acceso)
12 ns
Td(spento)
44 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier