Transistor a canale N IRL1404ZS, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V

Transistor a canale N IRL1404ZS, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.70fr
5-24
2.43fr
25-49
2.20fr
50-99
2.00fr
100+
1.75fr
Quantità in magazzino: 69

Transistor a canale N IRL1404ZS, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Ids: 20uA. Idss (massimo): 200A. Rds sulla resistenza attiva: 2.5m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 5080pF. Costo): 970pF. Diodo Trr (min.): 26 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 790A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 19 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:13

Documentazione tecnica (PDF)
IRL1404ZS
24 parametri
ID (T=100°C)
140A
ID (T=25°C)
200A
Ids
20uA
Idss (massimo)
200A
Rds sulla resistenza attiva
2.5m Ohms
Alloggiamento
D2PAK ( TO-263 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-263 ( D2PAK )
Voltaggio Vds(max)
40V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
5080pF
Costo)
970pF
Diodo Trr (min.)
26 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
Id(imp)
790A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
230W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
19 ns
Td(spento)
30 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
International Rectifier