Transistor a canale N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor a canale N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.54fr
5-24
2.23fr
25-49
1.98fr
50-99
1.79fr
100+
1.53fr
Quantità in magazzino: 9

Transistor a canale N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3700pF. Costo): 630pF. Funzione: Livello logico. ID (min): 10uA. Id(imp): 190A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 49 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:13

Documentazione tecnica (PDF)
IRL2910
25 parametri
ID (T=100°C)
39A
ID (T=25°C)
55A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.026 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
3700pF
Costo)
630pF
Funzione
Livello logico
ID (min)
10uA
Id(imp)
190A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200W
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
11 ns
Td(spento)
49 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
16V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier