Transistor a canale N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V
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Transistor a canale N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.01 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3600pF. Carica: 65.3nC. Condizionamento: tubus. Costo): 870pF. DRUCE CORRENTE: 89A. Diodo Trr (min.): 94us. Funzione: Azionamento del gate a livello logico, commutazione rapida. ID (min): 25uA. Id(imp): 310A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Polarità: unipolari. Potenza: 130W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 10M Ohms. Resistenza termica abitativa: 1.2K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 37 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 16V, ±16V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:13