Transistor a canale N IRL3705ZS, D2PAK
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
6.79fr
5-9
5.69fr
10-19
5.48fr
20-49
5.33fr
50+
5.16fr
| Quantità in magazzino: 1 |
Transistor a canale N IRL3705ZS, D2PAK. Alloggiamento: D2PAK. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 40nC. DRUCE CORRENTE: 86A. Polarità: unipolari. Potenza: 130W. Resistenza termica abitativa: 1.14K/W. RoHS: sì. Tensione di gate-source: 16V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:15
IRL3705ZS
12 parametri
Alloggiamento
D2PAK
Assemblaggio/installazione
SMD
Carica
40nC
DRUCE CORRENTE
86A
Polarità
unipolari
Potenza
130W
Resistenza termica abitativa
1.14K/W
RoHS
sì
Tensione di gate-source
16V
Tensione drain-source
55V
Tipo di transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Prodotto originale del produttore
Infineon (irf)