Transistor a canale N IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Transistor a canale N IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.43fr
5-24
2.12fr
25-49
1.89fr
50+
1.66fr
Quantità in magazzino: 31

Transistor a canale N IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.006 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Diodo Trr (min.): 120ns. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (min): 25uA. Id(imp): 470A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 29 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRL3803S
30 parametri
ID (T=100°C)
83A
ID (T=25°C)
60.4k Ohms
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.006 Ohms
Alloggiamento
D2PAK ( TO-263 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
D2PAK ( TO-263 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
5000pF
Costo)
1800pF
Diodo Trr (min.)
120ns
Funzione
controllo del cancello tramite livello logico
ID (min)
25uA
Id(imp)
470A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
14 ns
Td(spento)
29 ns
Tecnologia
HEXFET® Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
1V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
16V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier