Transistor a canale N IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.004 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 7660pF. Costo): 2150pF. Diodo Trr (min.): 100 ns. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (min): 25uA. Id(imp): 740A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 21 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza, controllato a livello logico. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38