Transistor a canale N IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v

Transistor a canale N IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.26fr
5-24
1.07fr
25-49
0.95fr
50-99
0.87fr
100+
0.75fr
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Transistor a canale N IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.5m Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5110pF. Carica: 36nC. Condizionamento: tubus. Costo): 960pF. DRUCE CORRENTE: 150A. Diodo Trr (min.): 29 ns. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. ID (min): 1uA. Id(imp): 620A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Polarità: unipolari. Potenza: 140W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: High Frequency Synchronous. Td(acceso): 23 ns. Td(spento): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 30V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRLB8743PBF
39 parametri
Alloggiamento
TO-220
ID (T=100°C)
100A
ID (T=25°C)
150A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
2.5m Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
5110pF
Carica
36nC
Condizionamento
tubus
Costo)
960pF
DRUCE CORRENTE
150A
Diodo Trr (min.)
29 ns
Funzione
UPS, Convertitore CC/CC
ID (min)
1uA
Id(imp)
620A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
140W
Polarità
unipolari
Potenza
140W
Proprietà del semiconduttore
Livello logico
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
High Frequency Synchronous
Td(acceso)
23 ns
Td(spento)
25 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
30V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.35V
Vgs(esimo) min.
1.35V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier