Transistor a canale N IRLL2703, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v

Transistor a canale N IRLL2703, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.87fr
5-24
0.77fr
25-49
0.68fr
50-99
0.63fr
100+
0.54fr
Quantità in magazzino: 38

Transistor a canale N IRLL2703, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 530pF. Costo): 230pF. Diodo Trr (min.): 42 ns. ID (min): 25uA. Id(imp): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 7.4 ns. Td(spento): 6.9ns. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRLL2703
25 parametri
ID (T=100°C)
3.1A
ID (T=25°C)
5.5A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.45 Ohms
Alloggiamento
SOT-223 ( TO-226 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-223
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
530pF
Costo)
230pF
Diodo Trr (min.)
42 ns
ID (min)
25uA
Id(imp)
16A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2.1W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
7.4 ns
Td(spento)
6.9ns
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.4V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
16V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier