Transistor a canale N IRLL2705TRPBF, SOT-223, 55V

Transistor a canale N IRLL2705TRPBF, SOT-223, 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-24
1.57fr
25+
1.22fr
Quantità in magazzino: 3157

Transistor a canale N IRLL2705TRPBF, SOT-223, 55V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Capacità del gate Ciss [pF]: 870pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 3.8A. Marcatura del produttore: LL2705. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 35 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.2 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27

Documentazione tecnica (PDF)
IRLL2705TRPBF
16 parametri
Alloggiamento
SOT-223
Tensione drain-source Uds [V]
55V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.04 Ohms @ 3.8A
Capacità del gate Ciss [pF]
870pF
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
2.1W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
3.8A
Marcatura del produttore
LL2705
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
35 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
6.2 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
2V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier