Transistor a canale N IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaggio Vds(max): 20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 740pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 90pF. DRUCE CORRENTE: 4.2A. Diodo Trr (min.): 16 ns. Funzione: Ultra Low On-Resistance. ID (min): 1uA. Id(imp): 33A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Polarità: unipolari. Potenza: 1.25W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 7.5 ns. Td(spento): 54 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione drain-source: 20V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 3000. Vgs(esimo) min.: 0.6V. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38