Transistor a canale N IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

Transistor a canale N IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.28fr
5-49
0.20fr
50-99
0.18fr
100+
0.16fr
Quantità in magazzino: 43

Transistor a canale N IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.025 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 85pF. Costo): 34pF. Diodo Trr (min.): 26 ns. Funzione: Ultra Low On-Resistance. ID (min): 1uA. Id(imp): 7.3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 540mW. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 3.9 ns. Td(spento): 9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRLML2803
29 parametri
ID (T=100°C)
0.93A
ID (T=25°C)
1.2A
Idss (massimo)
25uA
Rds sulla resistenza attiva
0.025 Ohms
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
85pF
Costo)
34pF
Diodo Trr (min.)
26 ns
Funzione
Ultra Low On-Resistance
ID (min)
1uA
Id(imp)
7.3A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
540mW
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
3.9 ns
Td(spento)
9 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier