Transistor a canale N IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.13fr
5-9
0.71fr
10-19
0.59fr
20-49
0.52fr
50+
0.48fr
| Quantità in magazzino: 25 |
Transistor a canale N IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK. Alloggiamento: TO252AA, DPAK. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 10nC. DRUCE CORRENTE: 17A. Polarità: unipolari. Potenza: 38W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. Resistenza termica abitativa: 3.3K/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 16V, ±16V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 01/01/2026, 21:08
IRLR024NTRPBF
14 parametri
Alloggiamento
TO252AA, DPAK
Assemblaggio/installazione
SMD
Carica
10nC
DRUCE CORRENTE
17A
Polarità
unipolari
Potenza
38W
Proprietà del semiconduttore
Livello logico
Resistenza termica abitativa
3.3K/W
RoHS
sì
Tecnologia
HEXFET®
Tensione di gate-source
16V, ±16V
Tensione drain-source
55V
Tipo di transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Prodotto originale del produttore
Infineon (irf)