Transistor a canale N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Transistor a canale N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.97fr
5-49
1.65fr
50-99
1.40fr
100-199
1.19fr
200+
0.91fr
Quantità in magazzino: 2247

Transistor a canale N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 3980pF. Costo): 170pF. Diodo Trr (min.): 34-51 ns. Equivalenti: IRLR3110ZPbF. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. ID (min): 25uA. Id(imp): 250A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(acceso): 7.2 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: ±16. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

IRLR3110ZPBF
32 parametri
ID (T=100°C)
45A
ID (T=25°C)
42A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.105 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaggio Vds(max)
100V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
3980pF
Costo)
170pF
Diodo Trr (min.)
34-51 ns
Equivalenti
IRLR3110ZPbF
Funzione
Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida
ID (min)
25uA
Id(imp)
250A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
79W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(acceso)
7.2 ns
Td(spento)
30 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.5V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
±16
Prodotto originale del produttore
International Rectifier