Transistor a canale N IRLR3110ZTRPBF, DPAK
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.69fr
5-9
1.74fr
10-19
1.61fr
20-49
1.52fr
50+
1.45fr
| Quantità in magazzino: 20 |
Transistor a canale N IRLR3110ZTRPBF, DPAK. Alloggiamento: DPAK. Assemblaggio/installazione: SMD. Confezione: bobina. DRUCE CORRENTE: 63A. Polarità: unipolari. Potenza: 140W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione drain-source: 100V. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 02/01/2026, 05:22
IRLR3110ZTRPBF
12 parametri
Alloggiamento
DPAK
Assemblaggio/installazione
SMD
Confezione
bobina
DRUCE CORRENTE
63A
Polarità
unipolari
Potenza
140W
Proprietà del semiconduttore
Livello logico
RoHS
sì
Tecnologia
HEXFET®
Tensione drain-source
100V
Tipo di transistor
N-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon (irf)