Transistor a canale N IRLR7843, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.6m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 4380pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 940pF. Diodo Trr (min.): 39 ns. Funzione: RDS molto basso (acceso) a 4,5 V VGS, impedenza di gate ultra bassa. ID (min): 1uA. Id(imp): 620A. Marcatura sulla cassa: LR7843. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 34 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 2000. Vgs(esimo) massimo: 2.3V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38