Transistor a canale N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Transistor a canale N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-1
1.00fr
2-4
1.00fr
5-49
0.83fr
50-99
0.71fr
100+
0.59fr
Quantità in magazzino: 24

Transistor a canale N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 6.3m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1030pF. Costo): 350pF. Diodo Trr (min.): 17 ns. Funzione: RSISTANZA RDS molto bassa a 4,5 V VGS. ID (min): 1uA. Id(imp): 260A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Impedenza di gate ultrabassa. Td(acceso): 8.8 ns. Td(spento): 9.4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRLR8721
31 parametri
ID (T=100°C)
46A
ID (T=25°C)
65A
Idss (massimo)
150uA
Rds sulla resistenza attiva
6.3m Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1030pF
Costo)
350pF
Diodo Trr (min.)
17 ns
Funzione
RSISTANZA RDS molto bassa a 4,5 V VGS
ID (min)
1uA
Id(imp)
260A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
65W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Impedenza di gate ultrabassa
Td(acceso)
8.8 ns
Td(spento)
9.4 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.35V
Vgs(esimo) min.
1.35V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier