Transistor a canale N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor a canale N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.87fr
5-24
0.75fr
25-49
0.66fr
50-99
0.59fr
100+
0.51fr
Quantità in magazzino: 181

Transistor a canale N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 480pF. Costo): 130pF. Diodo Trr (min.): 60 ns. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 47W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 7.1 ns. Td(spento): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRLZ24N
26 parametri
ID (T=100°C)
8.5A
ID (T=25°C)
17A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.075 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
480pF
Costo)
130pF
Diodo Trr (min.)
60 ns
Funzione
controllo del cancello tramite livello logico
ID (min)
25uA
Pd (dissipazione di potenza, massima)
47W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
7.1 ns
Td(spento)
20 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
16V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier