Transistor a canale N IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 880pF. Carica: 16.7nC. Condizionamento: tubus. Costo): 220pF. DRUCE CORRENTE: 27A. Diodo Trr (min.): 76 ns. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (min): 25uA. Id(imp): 110A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Polarità: unipolari. Potenza: 56W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 2.7K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 8.9 ns. Td(spento): 21 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 16V, ±16V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38